6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称，SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。

韩媒宣称 SK 海力士原本计划在 V10 世代采用 400 层堆叠，但由于这会为量产带来更大技术难度最终选择 375 层设计。业内人士称 SK 海力士未来还规划了 480 层、604 层的 3D NAND。

技术层面，SK 海力士在 V10 NAND 的金属布线层中将部分字线 (Word Line) 材料从钨 (W) 替换为钼 (Mo)，后者电阻更低、填充性能更好。在钼沉积工艺中，SK 海力士将应用成本更具优势的 TEL 炉式设备。

内容来源：IT之家

标签：SK海力士  NAND  闪存