消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计,2026 年内量产 SK 海力士在 V10 NAND 的金属布线层中将部分字线 (Word Line) 材料从钨 (W) 替换为钼 (Mo),后者电阻更低、填充性能更好 家明 2026-06-11 2